國內最大碳化硅基地正式投產 ,總投資50億元

  據報道,投資50億元,建設用地約1000畝的中國電科(山西)電子信息科技創新產業園在山西轉型綜改示范區正式投產。

  人民網報道稱,該項目計劃用5年時間,建成“一中心三基地”,即:中國電科(山西)碳化硅材料產業基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產業基地、中國電科(山西)三代半導體技術創新中心、中國電科(山西)光伏新能源產業基地。項目達產后,預計形成產值100億元。

  山西臺記者劉洋在報道中指出,這個碳化硅基地一期共有300臺設備,單月產值就能突破一億元。項目全部建成后,將成為國內最大的碳化硅材料供應基地,而這個1000畝的產業園將串聯起山西轉型綜改示范區上下游十多個產業,帶動山西半導體產業集群迅速發展,實現中國碳化硅的完全自主供應。

  大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率,是第三代半導體碳化硅單晶材料最響亮的“名片”,不過,碳化硅單晶的制備一直是全球性難題,而高穩定性的長晶工藝技術是其核心。而在中國,碳化硅單晶襯底材料長期依賴進口,其高昂的售價和不穩定的供貨情況大大限制了國內相關行業的發展。

  山西爍科晶體有限公司總經理李斌稱:碳化硅是一個非常關鍵的半導體的原材料,整個從山西來說,能帶動一個50到100億元的產業鏈,現在大家都在搶占這個時間點,我們現在就是要爭分奪秒把這個時間節點抓住,一方面抓好疫情防控,一方面抓好復工復產,真正把這個產業鏈的制高點抓在我們自己手里,落地在山西?!ぁ?/p>

  據了解,自2007年,中國電科2所開始著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃,目前已經掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝,形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線,在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。


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