東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦

  中國上海,2020年3月10日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦,適用于工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1],其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。

  

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦


  TLP5231產品示意圖

  新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。

  目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器,僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流,有助于降低功耗。

  通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小,TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求,從而簡化設計。

  其他功能包括:在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

  應用:

  IGBT與功率MOSFET柵極驅動(預驅動)

  交流電機和直流無刷電機控制

  工業逆變器與不間斷電源(UPS)

  光伏(PV)電源調節系統

  特性:

  內置有源時序控制的雙輸出,適用于驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。

  當檢測到過流時,通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現可配置柵極軟關斷時間。

  當監控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時,故障信號會輸出到一次側。

  主要規格:

  (除非另有說明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)

  

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦


  

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦


  注釋:

  [1] 柵極信號軟關斷、故障反饋功能

  [2] TLP5214、TLP5214A

  [3] UVLO:欠壓鎖定

  [4] 常見VE

  如需了解相關新產品的更多信息,請訪問:

  TLP5231

  關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

  東芝電子元件及存儲裝置株式會社,主要從事電子元器件事業和存儲產品事業。其中電子元器件事業包含占市場大份額的分立器件、以及業界先進的系統LSI。在分立半導體領域,集中力量在控制設備功耗的功率器件等產品。在系統LSI領域,通過用于物聯網、汽車電子、通信和電源應用領域的LSI產品,推動全球電子設備的發展。存儲產品事業主要在機械硬盤(HDD)領域,著重開發面向數據中心等企業級大容量存儲產品。東芝通過加強電子元器件事業和存儲產品事業,為支持和推動智能社區和智能生活的建設提供廣泛的半導體解決方案及應用。


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