北方華創12英寸氮化硅LPCVD獲突破,進入中國IC制造龍頭企業

  2020年4月7日,北方華創THEORIS SN302D型12英寸氮化硅沉積設備Move in國內集成電路制造龍頭企業。該設備的交付,意味著國產立式LPCVD設備在先進集成電路制造領域的應用拓展上實現重大進展。

  氮化硅(Si3N4) 薄膜是一種應用廣泛的介質材料。作為非晶絕緣物質,氮化硅膜的介質特性優于二氧化硅膜,具有對可動離子阻擋能力強、結構致密、針孔密度小、化學穩定性好、 介電常數高等優點,常用于集成電路制造中的介質絕緣、雜質掩蔽、淺溝道隔離、掩膜、外層鈍化保護等工藝。作為一種性能優良的重要介質材料,在集成電路制造 領域,氮化硅薄膜廣泛使用LPCVD類型設備制備,而顆??刂扑绞窃O備能力的一項重要指標。

  北方華創在氮化硅工藝設備THEORIS SN302D的開發過程中,通過整合已有產品平臺技術,針對性地研發了快速升降溫加熱技術和爐口氣流優化技術,良好地解決了氮化硅工藝過程中顆??刂撇环€ 的技術性難題。并在滿足常規生產能力的基礎上,為提升客戶使用的附加價值,進一步開發了長恒溫區反應腔室設計,實現了高產能的硬件技術解決方案,匹配市場 的多樣化需求。

  


  經過10余年的創新發展,北方華創立式爐從無到有,從設備研發到產業化,目前已形成氧化(Oxide)、退火(Anneal)、化學氣相沉積(LPCVD)、合金(Alloy)四大系列工藝設備,設備性能達到國際同類產品的先進水平。北方華創在不斷拓展產品應用領域的同時,也將致力于幫助客戶提升工藝性能、提高產能、降低成本,為半導體集成電路領域的廣大客戶帶來無限可能。


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